
SSD NVMe® U.2 de alto rendimiento, altamente confiable y seguro, diseñado para servidores que necesitan una mayor confiabilidad de los datos para salvaguardar datos críticos.
Mejorado para mayor velocidad y confiabilidad
El PM9A3 es la solución para lograr una alta capacidad de respuesta en centros de datos que requieren un rendimiento acelerado. Disponible en capacidades de 960 GB, 1,92 TB, 3,84 TB y 7,68 TB, el PM9A3 permite a su empresa destacar en la gestión de big data.¹
Rendimiento continuo y de alta potencia
Obtenga resultados rápidos con la interfaz NVMe® de última generación. Velocidades de lectura/escritura secuencial de hasta 6900/4100 MB/s, velocidades de lectura/escritura aleatoria de hasta 1100 000/200 000 IOPS y una excelente calidad de servicio (QoS) permiten el análisis de big data en tiempo real.²
Proteja los datos críticos
La integridad de los datos es fundamental para los SSD de centros de datos. El PM9A3 NVMe® U.2 cuenta con protección de datos de extremo a extremo para garantizar la consistencia en toda la ruta de transferencia de datos y evitar la corrupción de datos en caso de corte de energía gracias a su protección contra cortes de energía.
Mayor eficiencia operativa
Logre mucho más con menos. Consiga mayor eficiencia y rendimiento en comparación con los sistemas de almacenamiento tradicionales, con menos servidores, menor consumo de energía y refrigeración, y un menor coste total de propiedad (TCO), todo ello con la gestión eficiente del software avanzado Samsung SSD Toolkit. 3
Confiabilidad y calidad de Samsung
Experimente la calidad y confiabilidad superiores de las unidades SSD de producción propia con componentes fabricados por Samsung. Impulse su negocio, disponible las 24 horas, para que funcione con mayor rapidez, eficiencia y costos reducidos con confiabilidad de primer nivel y una garantía limitada de 5 años o 1.0 DWPD.4,5
Versión NVMe | 1.4 |
Algoritmos de seguridad | AES de 256 bits |
Capacidad SSD | 3,84 TB |
Factor de forma SSD | 2,5" |
Interfaz | PCI Express 4.0 |
NVMe | Sí |
Tipo de memoria | TLC de V-NAND |
Componente para | ordenador personal |
Cifrado de hardware | Sí |
Velocidad de lectura | 6900 MB/s |
Velocidad de escritura | 4100 MB/s |
Lectura aleatoria (4 KB) | 1000000 IOPS |
Escritura aleatoria (4 KB) | 180000 IOPS |
Velocidad de lectura secuencial (AS SSD) | 6900 MB/s |
Velocidad de escritura secuencial (AS SSD) | 4100 MB/s |
Tipo de controlador | Samsung Elpis |
Soporte SMART | Sí |
Soporte TRIM | Sí |
Protección de datos de extremo a extremo | Sí |
Tiempo medio entre fallos (MTBF) | 2000000 horas |
Voltaje de funcionamiento | 12 voltios |
Consumo de energía (leer) | 11 W |
Consumo de energía (escritura) | 13,5 W |
Consumo de energía (máximo) | 3,5 W |
Ancho | 110,2 milímetros |
Profundidad | 3,8 milímetros |
Altura | 22 milímetros |
Peso | 90 gramos |
Temperatura de funcionamiento (TT) | 0 - 70 °C |
Código del Sistema Armonizado (SA) | 84717070 |